薄膜xrd检测

检测样品

硅基薄膜，氮化镓薄膜，氧化锌薄膜，二氧化钛薄膜，氧化铟锡薄膜(ITO)，二硫化钼薄膜，石墨烯薄膜，氮化铝薄膜，金薄膜，银薄膜，铜薄膜，铁电薄膜(PZT)，钙钛矿薄膜，氮化硅薄膜，二氧化硅薄膜，氧化铝薄膜，锆钛酸铅薄膜，硫化镉薄膜，聚酰亚胺薄膜，氧化镍薄膜，氧化锡薄膜，钇钡铜氧超导薄膜，碳化硅薄膜，钴铂磁性薄膜，铜铟镓硒薄膜(CIGS)，氮化硼薄膜，氧化钌薄膜，非晶碳薄膜，钼/硅多层膜，羟基磷灰石生物薄膜。

检测项目

物相分析，结晶度测定，残余应力分析，晶粒尺寸计算，薄膜厚度测定，择优取向分析，晶格常数测定，缺陷密度分析，织构分析，相变过程监测，掺杂浓度分析，非晶含量测定，晶体取向分布，微观应变分析，薄膜均匀性评估，晶界结构分析，相含量定量分析，晶体完整性评估，结构弛豫分析，层间扩散分析，表面粗糙度关联分析，异质结匹配度检测，量子阱结构表征，超晶格周期验证。

检测方法

掠入射X射线衍射（GIXRD）：采用小角度入射减少基底干扰，增强薄膜信号检测灵敏度

X射线反射率法（XRR）：通过反射强度曲线分析薄膜厚度、密度和界面粗糙度

摇摆曲线扫描（Rocking curve）：评估外延薄膜的结晶质量和晶格匹配度

极图分析（Pole figure）：表征薄膜晶体取向分布和织构特征

θ-2θ对称扫描：常规物相分析，适用于较厚薄膜的晶体结构检测

掠入射小角散射（GISAXS）：分析纳米级薄膜表面/界面周期性结构

高分辨率XRD（HRXRD）：准确测定晶格常数和超晶格结构

变温XRD：研究薄膜材料在温度变化下的相变行为

应力分析XRD：通过晶格畸变计算薄膜残余应力分布

微区XRD（μ-XRD）：对薄膜特定微区进行局部晶体结构分析

快速XRD扫描：动态监测薄膜生长过程的实时结构演变

同步辐射XRD：利用高亮度光源实现超薄薄膜高精度检测

二维面探测器XRD：快速获取薄膜三维晶体取向信息

掠入射广角散射（GIWAXS）：同时获取薄膜纳米结构和晶体取向信息

深度分辨XRD：通过入射角调节实现薄膜纵向结构分层分析

偏振XRD：研究薄膜各向异性晶体结构特征

原位应力XRD：实时监测薄膜在机械载荷下的结构响应

反常X射线衍射（AXRD）：利用元素吸收边增强特定原子信号

三维XRD（3D-XRD）：重构薄膜三维晶体结构分布

共聚焦XRD：提高空间分辨率，实现薄膜亚表面结构分析

时间分辨XRD：捕捉薄膜快速动态结构变化过程

全反射X射线衍射（TRXRD）：用于超薄单分子层结构表征

能量色散XRD（EDXRD）：多波长联合分析复杂薄膜体系

掠入射X射线荧光（GIXRF）：结合元素分布进行结构-成分关联分析

相位对比XRD：增强弱结晶薄膜的信号检测能力

纳米束XRD（NBXRD）：实现纳米尺度薄膜结构表征

检测标准

ANSI B151.2-1999薄膜铸塑机的制造、维护和使用

ANSI B151.4-1999吹塑薄膜取出设备和辅助设备的制造、维护和使用

ANSI B151.5-2000塑料薄膜和薄膜卷绕设备的制造、维护和使用

ANSI INCITS 163-1988(R2002)信息系统 接触式开关金属薄膜存储器盘 每道83333通量跃迁,130mm(5.118英寸)外径,40mm(1.575英寸)内径(取代

ANSI X3.163-1988 R(2002)标准)

ANSI INCITS 179-1990(R2002)信息系统 接触式开始结束型金属薄膜存储盘 每道83333通量跃迁,9.5mm(3.740英寸)外径2.5mm(0.984英寸)内径1.27mm(0.050英寸)厚(取代ANSI X3.179-1990 R(2002)标准)

AS 1145.3-2001塑料 抗拉性能测定 第3部分:薄膜和薄板材的试验条件

AS 1180.7A-1972橡胶软管测试 第7A部分:柔性薄膜衬和浮动式盖的抗液压测试

AS 1195-1973聚四氟乙烯薄膜(PTFE)发泡胶带

AS 1196-1973聚四氟乙烯薄膜(PTFE)塑料薄膜

AS 1197-1973聚四氟乙烯薄膜(PTFE)模压基本异型制品